用于测试电源的虚拟负载电路

假设你有一个10安培的电源，你想确认10安培的输出通过某种可以吸收10安培电流的虚拟负载。为此，你必须建立一个10安培电流接收器使用许多高瓦电阻串联和并联。这种安排可能非常繁琐和笨重。

相反，一个可调晶体管虚拟负载电路可以更有效地完成这项工作，通过从电源中降低10安培电流，并帮助用户确认电源实际上能够提供预期的10安培电流。

在这个电路中，可以优化和调整大功率晶体管，以特定的速率吸收或分流电源电流，这可以通过电位器来调整，从而使程序非常顺利和准确。

你可以测试电源和相关设备的最大峰值输出电流，而不用求助于功率电阻阵列，使用这个虚拟负载电路，它只是一个简单的晶体管电流吸收电路。

无需昂贵的无感电阻，可调电流接收器允许负载在大范围内快速调整，而不管电压源是什么。这样就不需要在每次电源或被测设备的电压和/或输出电流特性发生变化时，比如在电源测试期间，都要摆弄电源电阻。

电路是如何工作的

电流负载由晶体管QL1和QL2分担，由它们的发射极电阻R1和R2平衡，其数量应在。2欧姆。1ohm range.

因此，简单地通过连接功率晶体管QL1和QL2，我们就可以将电路的载流能力提高到我们想要的任何水平，而只受晶体管的绝对极限的限制。

一些常见的垃圾箱型负载晶体管，如npn2n3055，可能具有60伏特的VCE，大约15安培的集成电路，和115瓦的功耗。

因此，在其他条件相同的情况下，在评估低压电源时，功耗是需要考虑的最重要的特性。

例如，通过将4个普通的垃圾箱2n5885与4个0.1欧姆、5瓦的发射极电阻并联，您可以在20安培的电压下持续处理30伏电压。2n5885与2n3055具有相似的特性，尽管其功耗在200瓦范围内，集电极电流Ic约为25安培。

此外，如果加入高VCE规格的晶体管，也可以测试高压电源。

在这两种情况下，负载晶体管的基座(QL1和QL2)由通过电池或直流电源的预定“调节”电流控制。这个预设电流调节通过Q1的电流，控制负载晶体管QL1和QL2的基极电流。

PRESET ADJ.，电位器R3，控制最高允许电流draw，而current ADJ.，电位器R4，设置电流范围。

晶体管Q1是一个典型的TIP35A，一个NPN硅功率晶体管，可以承受高达350的电压，也有一个额定集电极电流1安培。

在这个虚拟负载电路中，hfe为50-150的任何NPN硅功率晶体管就足够了。2N5682是Q1的另一个可能性。

如何设置

预置电位器R3的设置电平由所使用的晶体管的beta定义，较高的负载阈值由负载晶体管决定。

最大负载由电位器R3调节，如果安装了可选的电流表或外部电流表，则电流电平易于调节。首先，将current PRESET电位器R3调整到最大，将current ADJ.电位器R4调整到最低电阻。

接下来，测量从连接到这个主动虚拟负载的适当电源消耗的电流，并调整电流预设，以达到你打算实现的最大负载;这就是它的全部!

所需的最大功率耗散是由所使用的负载晶体管的数目和种类所决定的。

因此，如果你在很长一段时间内用过多的电流驱动大量的电压，不要超过它们的最大功率耗散，否则你可能会烧坏负载晶体管。

或者，如果您允许负载晶体管温度在短时间内正常，它可能会允许您超过其连续功率耗散限制。

尝试实现一个适度的工作周期，不超过他们的最佳工作温度。

本项目没有提供组件清单，因为这样做会破坏项目的目标，该项目是由废箱部件制造的。选择了9伏晶体管电池，因为它的工作方式就像一个最佳的控制电源，是电隔离的，同时降低成本到最低限度。