在这篇文章中,我们学习如何在实用电子电路中使用晶体管发射器跟随器配置,我们通过一些不同的示例应用电路研究这一点。发射极跟随器是标准晶体管配置之一,其也称为公共集电器晶体管配置。
让我们先试着理解什么是发射器追随者的Transisto以及为什么它被称为普通集电极晶体管电路。
什么是发射器跟随器晶体管
在使用发射器终端用作输出时的BJT配置中,网络称为发射器跟随器。在该配置中,由于所固有的基极到发射器下降,输出电压始终低于输入基站信号的阴影。
在简单的术语中,在这种类型的晶体管电路中,发射器似乎遵循晶体管的基极电压,使得发射极端子处的输出总是等于基极发射器结的前向下降的基准电压。
我们知道,通常当晶体管(BJT)的发射极连接到接地轨或零电源轨时,基座通常需要约0.6V或0.7V,以使设备完全切换到其集电极到发射器。该晶体管的操作模式称为公共发射器模式,并且0.6V值被称为BJT的正向电压值。在这种最受欢迎的配置形式中,始终找到负载与设备的集电极端子连接。
这也意味着,只要BJT的基极电压比其发射极电压高0.6V,器件就会正向偏置或打开导通,或达到最佳饱和。
现在,在如下所示的发射器跟随器晶体管配置中,负载连接在晶体管的发射极侧,即在发射极和地轨之间。
当发生这种情况时,发射器无法获得0V电位,并且BJT无法使用常规0.6V开启。
假设0.6V应用于其基极,由于发射极负载,晶体管刚刚开始导电,这不足以触发负载。
当基极电压从0.6V增加到1.2V时,发射极开始导电并允许0.6V到达发射极,现在假设基极电压进一步增加到2V....这将提示发射器
电压达到1.6V左右。
从上面的情况下,我们发现电车的发射极始终在基础电压后面0.6V,这给出了发射器跟随基地的印象,并因此成为名称。
射极跟随器晶体管配置的主要特点可以研究如下所述:
- 发射极电压始终比基极电压低约0.6V。
- 通过相应地改变基极电压,可以改变发射极电压。
- 发射极电流与集电极电流相等。这
如果收集器直接达到电流,请使配置丰富
连接供电(+)轨。 - 负荷被连接在发射器和地面之间,也就是底座
具有高阻抗特性,意味着基极不是
很容易通过发射器连接到地面轨道上,
不需要高抵抗保障本身,通常是
保护高电流。
发射器跟随电路如何工作
发射极跟随器电路中的电压增益近似为AV≅1,这是相当不错的。
与集电极电压响应相反,发射器电压与输入基信号Vi相一致。这意味着输入和输出信号都倾向于同时复制它们的正和负峰值水平。
如前所述,输出VO似乎是“跟随”输入信号级别VI,通过同相关系,这代表其名称发射器跟随器。
发射-跟踪配置主要用于阻抗匹配应用,由于其在输入端的高阻抗特性和在输出端的低阻抗。这似乎与经典恰恰相反固定偏压配置.电路的结果与从变压器获得的结果非常相似,其中负载与源阻抗匹配,以实现通过网络传输的最高水平的功率。
再保险相同电路的发射器跟随器
的再保险上述发射器跟随器图的等效电路如下所示:
参考电路:
zi.:输入阻抗可由公式计算:
ZO.:输出阻抗的最好定义方法是先求出电流的方程IB.:
IB = VI / ZB
然后乘以(β +1)得到Ie。结果:
IE =(β+1)IB =(β+1)VI / ZB
替换ZB给出:
IE =(β+1)VI /β(β+1)RE
Ie = Vi / [β RE + (β +1)] + RE
自从(β+ 1)几乎等于β和βre./β+1几乎等于βre./β=再保险我们得到:
现在,如果我们使用上面的派生方程构建网络,请使用以下配置向我们展示:
因此,可以通过设置输入电压来确定输出阻抗vi.为零,
佐薇=再保险| |再保险
自从,再保险通常比大得多再保险,主要考虑以下近似:
佐薇≅再保险
这给了我们一个发射器跟随电路的输出阻抗的表达式。
如何在电路中使用发射器跟随器晶体管(应用电路)
发射器跟随器配置为您提供了在晶体管的基础上获得可控制的输出的优点。
因此,这可以在需要定制的电压控制设计的各种电路应用中实现。
以下几个示例电路示出了通常如何在电路中使用发射器跟随器电路:
简单可变电源:
以下简单的高可变电源利用发射器跟随器特性,并成功实现整洁100V,100 AMP可变电源这可以建立和使用任何新的业余爱好者迅速作为一个方便的小板凳电源单元。
可调稳压二极管:
通常,齐纳二极管附带一个固定值,该固定值不能根据给定的电路应用程序而改变或改变。
下面的图表实际上是简单的手机充电器电路使用发射器跟随电路配置设计。这里,简单地通过用10k罐改变所示的基齐纳二极管,可以将设计变换成有效的可调节齐纳二极管电路,另一个冷却发射器跟随器应用电路。
简单电机速度控制器
将刷式电动机连接到发射器/地面,并用晶体管的底座配置电位器,您可以简单但非常有效0到最大范围电机速度控制器电路和你。以下设计如下:
HI FI功率放大器:
甚至想知道放大器如何能够将样本音乐复制到放大版本,而不会打扰波形或音乐信号的内容?这可能是由于放大器电路中涉及的许多发射器跟随器阶段。
这是一个简单的100瓦放大器电路在可以在源跟随器设计中配置输出功率器件的情况下,该源跟随器设计是BJT发射器跟随器的MOSFET等效物。
可能还会有更多这样的发射器追随者应用电路,我只是列出了我在这个网站上容易访问的那些,如果你有更多的信息,请随时通过你的宝贵意见分享。
当我使用555计时器进行慢速启动PWM时,我面临的问题频率非常好,您可以帮助我如何使用它来修复频率和慢启动PWM。
请告诉我你使用过的原理图的链接,我会尽力帮助!
我可以使用发射器跟随电路来控制12v 5瓦加热器吗?或者你能推荐一个电路让我控制这个加热器。我尝试了许多种PWM电路,但他们不持久。先谢谢你!!
是的,你可以,但是当对加热器的电压降低时,晶体管会加热。
相反,你可以尝试PWM方法,这将保持晶体管冷却器,如下面的例子所示:
制作可调电磁铁电路
您可以使用12V加热器更换EM。可以删除并行二极管为您的应用程序
我非常感谢你的Query Sir的快速回复!你一个很酷的家伙......我会尽力给出你的建议,并希望它不会烧掉MOSFET。我还会尝试将MOSFET安装在旧的CPU散热器上,试图从MOSFET中拉出更多热量。再次先生,我谢谢你,祝你生命......更多的力量和上帝保佑!!!!
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