下面是一个列表晶体管和二极管标志着“公羊”(通用PNP晶体管),“桶”(通用NPN型晶体管),“挖”(二极管,通用德语或“嘟”(通用硅二极管)。
这表明可以使用大量类似的设备,只要它们满足表1a和1b所列的最低规格。
详细BJT Datasheet, Pinouts with Complementary Pairs
下图显示了一个很大的范围双极晶体管以及它们的详细规格。你可以了解他们的NPN/PNP极性,Uceo, Ic, Pmax, hFE,也关于等价数,或互补对。
双极晶体管具有四个不同的工作区域,其特征是BJT结偏置。
正向主动(或简单主动)
的基极发射极结是正向偏置,基极集电极结是反向偏置。大多数双极晶体管的设计是在正向有源模式下处理最高共发射极电流增益βF。在这种情况下collector-emitter当前大致与基极电流成正比,但大多数的倍大,对于小规模的基极电流变化。
反向主动(或反向主动或反向)
通过反转正向有源区域的偏置因素,双极晶体管转换为反向有源形式。在此设置中,发射器和收集器区域交换它们的任务。
由于许多bjt是在正向有源模式下构建来丰富电流增益的,相反形式的βF看起来要小很多倍(标准锗晶体管的2-3倍)。
这种晶体管功能几乎从来没有应用过,通常只用于故障安全的情况下加上一些类型的双极逻辑。在这个区域,基底上的反向偏置击穿电压可能是一个较小的维度。
饱和
具有两个结正向偏置的,aBJT获得饱和模式并且使高电流通过发射极传导到集电极成为可能(或者当它到达NPN时,带负电荷的载流子从发射极移动到集电极)。这种方法指的是一个逻辑上的“开”,或一个关闭开关。
截止
在截止,偏置情况是反向的饱和(两个结反向偏置)。在这种模式下,几乎不存在任何电流,与逻辑上的“关闭”或打开开关相比。