比较mosfet与bjtransistor - Pros and Cons

这篇文章全面讨论了mosfet和bts的异同，以及它们各自的优缺点。

介绍

当我们谈论电子学的时候，有一个名字与这个主题非常相关，或者说非常常见，那就是晶体管，更准确地说，是BJT。

Electronics实际上基于这些未突出和不可或缺的成员，没有哪些电子器件几乎不再存在。然而，随着技术的进步，MOSFET被出现为BJT的新表兄弟，并且迟到了中心舞台。

对于许多新人来说，与传统的BJT相比，MOSFET可能会使参数混淆参数，仅仅因为配置它们需要遵循关键步骤，而不遵守这些组件的永久损坏。

这篇文章以简单的语言解释了电子产品家族中这两个非常重要的活动部件之间的许多相似和不同之处，以及各自成员的优缺点。

比较BJTs或双极晶体管与mosfet

我们都很熟悉bts，知道这些基本上有三个引线，基极，集电极和发射极。

发射器是施加到底座的电流的出口路径和晶体管的集电极。

底座要求在0.6到0.7V通过它和发射极，以使开关相对较高的电压和电流通过其集电极和发射极。

尽管0.6V看起来很小，而且几乎是固定的，但相关的电流需要根据连接在集电极上的负载变化或增加。

意思是，如果假设在晶体管的集电极处用1K电阻连接LED，则可能只需要1或2个miiliamps，以使LED发光。

但是，如果连接继电器代替LED，则需要在同一晶体管的基础上需要超过30毫安的操作。

上述说明清楚地证明了晶体管是电流驱动元件。

与上述情况不同，MOSFET的行为完全相同。

比较mosfet的基极和栅极、发射极和源极、集电极和漏极，mosfet的栅极和源极至少需要5V，以使负载在其漏极终端完全切换。

与晶体管的0.6V的需求相比，5伏可能看起来大量，但是关于MOSFET的一个很好的事情是，这5V的电流可忽略不计，而是无论连接的负载电流如何，这意味着您是否连接了LED，A继电器，步进电机或逆变器变压器，MOSFET栅极处的电流系数变得无关紧要，并且可以像少数微安一样小。

也就是说，电压可能需要一些高度，如果连接的负载太高，则在其栅极处的MOSFET可以高达12V，大约为30到50安培。

上述语句表明MOSFET是电压驱动组件。

由于电压从来不是任何电路的问题，操作mosfet变得更加简单和有效，特别是当更大的负载涉及。

双极晶体管的优缺点:

1. 晶体管更便宜，操作时不需要特别注意。
2. 晶体管甚至可以在低至1.5V的电压下工作。
3. 很少有可能被损坏，除非对参数做了一些剧烈的调整。
4. 如果连接的负载更大，则需要更高的触发电流，使其迫使中间驱动程序级，使其变得非常复杂。
5. 上述缺点使得它不适合直接与CMOS或TTL输出接口，如果集电极负载相对较高。
6. 具有负的温度系数，因此在并行连接多个数字时需要特别小心。

MOSFET的优缺点:

1. 触发所需的电流可以忽略不计，无论负载电流大小，因此可以兼容所有类型的输入源。特别是当涉及到CMOS芯片时，mosfet很容易与如此低的电流输入“握手”。
2. 这些器件是正温度系数，意味着可以在没有担心热失控情况的情况下并行添加更多MOSFET。
3. MOSFET相对昂贵，需要进行小心处理，特别是在焊接时进行处理。由于这些对静电敏感，因此Adeqaye指定的预防措施成为必要的。
4. mosfet通常需要至少3v的触发，所以不能用于电压低于这个值。
5. 这些是相对敏感的组成部分，与预防措施的疏忽很少会导致瞬间损坏。