在本文中，我们试图研究如何使用外部自举电路来设计SG3525全桥逆变电路。这个想法是阿卜杜勒先生和这个网站的许多其他热心读者提出的。
为什么全桥逆变电路不容易
每当我们想到全桥或h桥逆变电路时，我们就能够识别具有专门驱动ic的电路，这让我们想，是否真的有可能设计一个全桥逆变器用普通组件?
尽管这看起来令人生畏，但对这个概念的一点点理解可以帮助我们意识到，毕竟这个过程可能没有那么复杂。
全桥或h桥设计的关键障碍是4个n沟道mosfet全桥拓扑，这反过来要求为高侧mosfet引入自举机制。
什么是自动启动
所以什么是一个引导网络在开发全桥逆变电路时，这是如何变得如此关键的？
当在全桥网络中使用相同的设备或4个n沟道MOSFET时，自举变得必不可少。
这是因为最初在高边mosfet源端的负载呈现出高阻抗，导致在mosfet源端的安装电压。这个上升的电位可以和高边场效应晶体管的漏极电压一样高。
因此，除非该MOSFET的栅极/源电位能够超过该上升源电位的最大值至少12V，否则MOSFET不会有效地进行。（如果您遇到难以理解，请通过评论告知我。）
在我之前的一篇文章中，我做了全面的解释发射极跟随器晶体管如何工作，这也可以确切地适用于场效应晶体管源输出电路。
在这种配置中，我们知道晶体管的基极电压必须始终高于晶体管集电极一侧的发射极电压0.6V，以使晶体管能够通过集电极和发射极传导。
如果我们将上述解释为场效应晶体管，我们发现源输出场效应晶体管的栅极电压必须至少为5V，或者理想情况下比连接在器件漏极侧的电源电压高10V。
如果在全桥网络中检查高压侧mosfet，您会发现高压侧mosfet实际上是作为源极跟随器排列的，因此要求栅极触发电压至少比漏极电源电压高10V。
一旦这完成了，我们可以期待一个最佳传导从高边mosfet通过低边mosfet完成推拉频率的一侧周期。
通常情况下，这是使用一个快速恢复二极管结合高压电容器实现的。
使用电容器将高边mosfet的栅极电压提高到比其漏极电源电压高10V的关键参数称为自举，实现这一目的的电路称为自举网络。
低侧mosfet不需要这种关键配置，因为低侧mosets的源直接接地。因此，这些能够使用Vcc供电电压本身而没有任何增强。
如何制作SG3525全桥逆变电路
既然我们知道了如何使用引导实现全桥网络，那么让我们试着了解如何将其应用于实现全桥SG3525逆变电路是目前最受欢迎和最受欢迎的逆变电路之一。
下面的设计显示了标准模块，可以集成到任何普通SG3525逆变器的输出引脚，以实现高效的SG3525全桥或h桥逆变电路。
线路图
参考上图，我们可以确定装配为H桥或全桥网络的四个MOSFET，但是额外的BC547晶体管和相关二极管电容看起来有点陌生。
准确地说，BC547阶段的定位是为了强制引导条件，这可以通过以下解释来理解:
我们知道，在任何h桥，mosfet配置成对角线传导，以实现预期的推拉传导通过变压器或连接的负载。
因此，让我们假设一个例子，SG3525的引脚14是低的，这使得右上和左下mosfet可以导电。
这意味着在此实例中，IC的引脚11是高的，这使左侧BC547开关保持ON。在这种情况下，左侧BC547阶段会发生以下情况:
1) 10uF电容通过1N4148二极管和连接其负极的低侧mosfet充电。
2)这种电荷暂时储存在电容器内部，可以假定它与电源电压相等。
3)现在一旦穿过SG3525的逻辑与随后的振荡周期恢复，引脚11降低，立即关闭相关的BC547。
4)当BC547开关关闭时，1N4148阴极上的电源电压现在到达连接的mosfet的栅极，然而这个电压现在被电容内存储的电压加强，这也几乎等于电源水平。
5)这会产生双倍效应，并使相关mosfet的栅极电压升高2X。
6） 这种情况会立即硬触发mosfet导通，从而将电压推过相应的低压侧mosfet。
7)在这种情况下，电容器被迫迅速放电和mosfet能够进行的只有这么长时间的存储电荷的电容器是能够维持。
因此，它成为强制性的，以确保电容器的价值被选择，使电容器能够充分保持电荷的每一个ON/OFF周期的推拉振荡。
否则，mosfet将过早放弃传导，导致相对较低的RMS输出。
以上解释全面解释了自举在全桥逆变器中的作用，以及如何实现这一关键功能，以制作高效的SG3525全桥逆变器电路。
现在，如果您已经了解了如何将一个普通的SG3525转换成一个完全成熟的h桥逆变器，您可能还想研究如何同样可以实现其他普通选项，如在IC 4047，或基于IC 555的逆变电路，.....考虑一下，让我们知道!
更新:如果你觉得上面的h型桥设计太复杂而无法实现，你可以试试a更容易选择
SG3525逆变器电路可以配置上述讨论的全桥网络
下图显示了一个使用SG3525集成电路的逆变器电路示例，你可以观察到输出mosfet级在图中缺失，只有输出开路引脚11和引脚14端子可以看到。
最后输出插脚引线为了有效地将简单的SG3525设计转换成完整的SG3525全桥逆变电路或4n沟道mosfet h桥电路，只需连接到上述解释的全桥网络的指示部分。
来自Robin先生(他是本博客的热心读者之一，也是一个狂热的电子爱好者)的反馈:
嗨Swagatum
好的，只是为了检查一切正常工作我将两个高侧FET分开，并使用相同的电路，如：
（//www.addme-blog.com/2017/03/sg3525-full-bridge-inverter-circuit.html），
将帽负极连接到场效应晶体管的源，然后连接到1k电阻和每个高边场效应晶体管的接地。引脚11对一个高边场效应管发出脉冲，引脚14对另一个高边场效应管发出脉冲。
当我切换SG3525上的两个场效应晶体管瞬间点亮，然后正常振荡。我想如果我把这种情况与交易和低侧fets联系起来，可能会有问题。
然后我测试了两个低侧场效应晶体管，连接一个12v电源(1k电阻和一个led)到每个低侧场效应晶体管的漏极和连接源到地。引脚11和14连接到每个低侧场效应晶体管栅极。
当我切换SG3525在低侧场效应晶体管不会振荡，直到我把一个1k电阻之间的引脚(11,14)和栅极。(不知道为什么会这样)。
电路图附在下。
我的回复：
感谢罗宾,
我很感谢你的努力，但是这似乎不是检查IC输出响应的最好方法……
或者，你可以尝试一个简单的方法，通过连接独立的LED从引脚11和引脚14的IC接地，每个LED有自己的1K电阻。
这将使您快速理解IC输出响应....这可以通过保持全桥级与两个IC输出隔离或不隔离它来实现。
此外，您可以尝试在IC输出引脚和相应的完整桥接输入之间串联连接3V齐扎尔......这将确保尽可能避免使用MOSFET的误触发......
希望这有助于
最好的祝福……
赃物
来自罗宾：
您能解释IC输出引脚和相应的全桥接输入之间的串联串联{3V齐纳串联......这将确保尽可能避免模糊MOSFET的误触发......
罗宾干杯
我:
当一个齐纳二极管串联将通过全电压一旦超过指定值,因此3 v稳压二极管不会进行只要3 v马克不交叉,一旦超过这个,它将使整个应用在它的电压水平
因此，在我们的情况下，由于SG 3525的电压可以假定为电源电平且高于3V，因此不会有任何阻塞或限制，整个电源电平将能够达到全桥级。
告诉我你的电路怎么样了。
向低侧Mosfet添加“死区时间”
你下面的图显示了一个死时间可以在低端mosfet,每当BC547晶体管开关导致上层mosfet打开,打开相关的低侧mosfet后轻微的延迟(几个女士),从而防止任何可能的拍摄。
您好，我确实维修带中心抽头变压器的逆变器，但现在每天的大多数变压器都没有中心抽头，所以我希望您能给我一个使用sg3524n的电路，介绍如何驱动不带中心抽头的变压器
嗨，上面的文章已经解释过了。
当我把变压器插到灯上时，12v输入电池读数为6v, 24v输入电池读数为12v。
我的问题是如果我把你给我的电路放进去，它会充电吗?
你指的是哪个电路....?
从SG3525全桥逆变器图，我建了它，它是可以的，但不能充电。
我该怎么做才能给电池充电呢?
在这个博客里有很多充电器的电路，你可以用任何一个来给你的电池充电
这种H桥拓扑可以适用于高压轨（整流220V AC）工作吗？
我可以看到一个引导挑战。也许你能给我另一个版本?
它看起来很难实现高电压在提议的电路，你可能必须使用专门的全桥IC !
请我做了这个全桥逆变器使用这种电路sg3525这就是我观察如果我测试振荡器董事会每工作正常,我有50 hz但是当我链接我场效电晶体振荡器董事会的开关单元的频率变化和保持不同的频率波动,如果我链接的变压器它会烧毁MOSFET，请问这可能的原因是什么
请使用示波器测试频率，占空比等，DMM可能会给出错误的结果。
实际上我用我的迷你示波器测试它给出了准确的50hz的值和波形是正确的，但当我连接变压器到它，它会弓起我的MOSFET，所以我很困惑，应该相信示波器还是DMM
范围是正确的，DMM是错误的。尝试增加死时间，尝试实现以下文章中提到的所有内容:
如何保护MOSFET–讲解基本知识
你好Swagatam先生。
先生的问候。
拜托，我有件事让我很为难。我做了一个5.5KVA的逆变器，用于给2.5KVA的SUMO(水泵)和0.7kw的深冰箱等照明点供电，还做了家里的风扇和电视。但问题是，每次整个设备一次供电，输出滤波器电容爆炸，这也烧毁了逆变器中的整个MOSFET。我用了104,400V和225,400v X额定电容并联滤波输出，结果烧坏了，我用2.2uf, 275 MKP电容换掉了，持续了大约5天，同样的问题又发生了。
请把我从这样的困境中解救出来。对于5.5KVA逆变器，我将使用什么值的滤波电容器?或者是否完全删除过滤器(即删除输出过滤器)?
你好Kingsley，
高质量的电容器不应该爆炸，特别是在正确的额定情况下。尝试使用630V金属化聚酯型电容器，并再次检查响应。
请我需要一个链接解释部分或章节和工作原理的章节。
例如驱动部分，缓冲部分等
昨天的例子，如果逆变器工作但没有给电池充电，检查这个部分。
谢谢
显然一个炸弹。请在宣传之前练习一下你的电路。仅仅看IN4148与1k电阻器连接到ir540的门，你将简单地理解ir540漏源不断与直流电关闭。Dis会炸掉fets
不要担心，没有什么会在这里爆炸，你只是看了二极管/电阻，但没有注意到输入到BC547基是切换，这意味着垂直mosfet永远不能在任何瞬间，所以mosfet永远不能燃烧....现在我希望你已经明白使用....电路是很好的
嗨,先生
非常感谢您提供H桥电路图。它比中心抽头电路更有效。
我的问题是，你有一个更大的逆变器的电路图，通过我的意思是具有更多瓦特输出的东西。我在Parrellel中使用了相同的12V-0V 6AMP Tranformer，但只帮助共享负载。
谢谢你！
彼得·费雷拉
谢谢你彼得,
对于更大的变压器，你只需要升级MOSFET和电池额定功率适当。
你好swagatan，我很高兴你在这里为我们做的好工作，我的问题是，如果我使用微控制器而不是sg3525
其次，上述网络是否与IR2110相似?
谢谢你Wilson，任何触发器振荡器都可以用作输入源，它应该可以工作。您可以使用基于微控制器的振荡器，IC 4047, BJT稳定，或任何类似的都应该给出预期的结果，只是确保添加适当的死区时间
亲爱的斯瓦加坦：，
全桥逆变电路
我以极大的兴趣研究了电路，因为我想使用SG3525产生一个1kW的设计。
离开电子行业多年，我的记忆和知识被发挥到极致!
我可以大致按照给出的描述进行操作，但是，如果您能帮助我理解电容器的放电路径（参见第7项），我将不胜感激
7）在这种情况下，电容器被迫快速放电，并且MOSFET能够
传导的时间只有这么长，存储的电荷，这个电容器是能够维持。
正如我所看到的，FET有一个高栅极阻抗，所以放电不能通过。门/源结，所以我有点困惑。
10 uf电容器和1 k电阻给7毫秒左右的时间常数,这似乎非常过分,系统操作与PWM 114 khz的频率(根据数据表和组件如图所示)给57 khz变压器频率肯定——电容器将只需要持有收费1/2周期(略低于10美元)。
作为一个次要问题，我也想运行一个60伏电池组以保持合理的电流，因为我将有4个浮动1kW的单位一起运行，给一个4kW的电网tie逆变器。60伏的轨道将导致门源电压超过上FET的，所以计划使用两个背对背15v齐纳钳在20v限制内的门源。
我显然误解了引导电路的某些地方的情况，希望在投入构建和冒险组件之前得到一些帮助!
(抱歉我发了这么长的短信)
彼得
亲爱的Peter，当BC547和低压侧MOSFET接通时，电容器放电，在这种情况下，电容器引线短路，路径中只有1k电阻器。
10uF不是一个计算值，需要用户根据他们的喜好进行优化，但它是为50hz频率设计的。SG3525电路仅供参考，其组件需要进行调整以获得50hz的输出。
关于引导的更多信息，您可以阅读以下文章:
//www.addme-blog.com/h-bridge-bootstrapping/
嗨Swagatam,
非常感谢您的快速回复和回答，澄清了问题——非常感谢。
彼得
不客气，彼得！
我有24v, 220v的hbridge型变压器(无中心攻丝)。您的哪个电路可以使用上述变压器制作逆变器，也作为spwm?
如果我在负载电压下输入330VDC，在负载侧不使用变压器的情况下，我会输出为AC吗？
是的,是正确的。
斯瓦加坦，如果我给你看我的pcb原理图，你能帮我看一下吗？
但是对于发送原理图ı需要你的电子邮件。
gulay，验证PCB设计可能是耗时的，所以它可能是困难的，我为你做这个，因为缺乏时间…
Swagatam,
我设计全桥单相逆变器闭环，与我分享公式吗？
我不能确定频率，负载R和负载L。请帮帮我?
谢谢你
对不起，我没有公式，不管我有什么细节，我已经在上面的文章中介绍了。
HıWathAgam.
SG3535是自动闭环，其中一个脚是反馈。我说错了吗?
谢谢你！
嗨，Gulay，你可以参考下面的文章中的第三个电路，并学习如何添加一个反馈环路到电路中
//www.addme-blog.com/sg3525-pure-sinewave-inverter-circuit/
嗨Swagatam，
我想要得到方波单相全桥闭环逆变器。我使用哪个PWM生成器?
把图纸给我。
谢谢你！
嗨，Gulay，所需的电路已经在上面的文章中给出了。您可以将最后的原理图应用于全桥级，并将其与任何SG3525振荡器模块集成。然而，对于一个闭环，你必须添加一个反馈电路，如下图所示:
https://www.homemade - circuits.com/wp content/uploads/2019/04/feedback - 1024×460. png
您好，这是半桥（2路）
sg3525的全桥单相逆变器怎么样?
请回答我的问题。
如果你有一个示波器故障诊断容易,检查输出波形,如果销11和14针的同时即当一个人如果在其他同一时间前,没有延迟下一个那是问题
您好先生，我来自阿根廷，我正在尝试为一个太阳能系统做全桥逆变器。但我使用igbt 30j124代替，如果mosfet和电容在bootstrap是35v，我在这里找不到50v 10微的。
我用一盏灯证明，效果很好，我用一个测试器测试，电压在交流，是30v，频率是49hz。但是昨天我用变压器试的时候，两个ijbt烧坏了。你认为我的igbt需要一些保护吗?也许是一个并联的二极管?
嗨，路易斯，如果它发生与变压器，那么它可能是由于反电动势峰值。你必须在IGBt的集电极/发射极连接反向二极管，也必须在桥的正/负电源轨道上连接100uF电容。
谢谢Swagatam ! !感谢你花时间回复我。这个电路对我的家庭有很大的帮助，我们可以用它来洗个热水澡!!
非常欢迎你，路易斯，请继续努力!
swagatam先生，你是否介意为我更新sg3525全桥系统以提供24v直流电源，我即将开始建造6000w/24v逆变器的过程，我已经巩固了要求，但我不想破坏任何方式。请让我
如果你能更新这个完整的桥
//www.addme-blog.com/sg3525-full-bridge-inverter-circuit/?unapproved=74295&moderation-hash=12568f8795f12b87d88e0b2268189fb5#comment-74295
//www.addme-blog.com/sg3525-full-bridge-inverter-circuit/?unapproved=74295&moderation-hash=12568f8795f12b87d88e0b2268189fb5#comment-74295
埃文斯，上面的设计使用分立元件，这意味着一个小小的错误就会毁掉MOSFET。因为你是一个新来者，你必须选择专门的全桥IC…但无论如何，全桥设计都不推荐给新来者。
你必须首先从更小的设计开始，然后随着你了解到你可以逐步升级它们以获得更大的功率输出。寻找专门的ic，如果你没有得到他们，然后使中心tap版本。
好的，先生，但是我已经做了很长时间的方波中心龙头，所以想升级，所以认为你可能会有帮助。
中心丝锥可能更大的尺寸，但会给你失败证明的结果，全桥可能不会。
SWAGATAM爵士，SG3525和SG3524之间有什么区别吗？
SG3525是SG3524的改进版，但基本功能相同。
好的，先生，我可以使用你在之前的文章中提供的ic 4047电路来集成spwm和opamp吗?会有任何修改吗?
是的，你可以尝试使用P沟道和N沟道mosfet，但要有我之前提到的足够的预防措施
先生，我注意到，在负10uf处没有电压，当我把驱动器连接到mosfet时，电压急剧下降，而且mosfet加热非常快，就像短路一样
下午好先生,我有一个严重的挑战,我建立一个hbridge构建boostrapimg驱动hbrigd虽然sg3524使用驱动boostrap但是当我力量我mosfet吹或有时电压将下降在一定程度上,不会有输出ocillator板,但如果我单独给振子板供电，它就能正常工作。请问原因是什么
相信，短路只会发生在同一垂直线mosfet一起导电时，这是不可能的在这种配置。BC547不允许两个垂直mosfet同时打开。确保你的IC正常工作，并设定了一些失效时间。
始终使用MOSFET的排水销串联使用12V车头灯泡。
先生，我想问是什么原因导致se3524的输出波动，因为我注意到，如果我将sd3524放置，我的调节器将加热，但如果将其移除，调节器将不会再次加热。我注意到ic的输出不稳定，原因是什么
信仰，您是否添加了L2，C16，C17，D3，如第二图所示？尝试使用220欧姆电阻替换L2并检查响应
我只加1000超滤,25 v,但会导致开关时间发生在同一时间,因为这不是我第一次爵士大厦这第一次和第二次我建造这个效果很好,但是我不知道这个有什么问题,现在我把我的时间来解决,但我不能好任何错误我现在检查输出波形从销11和14,我观察到在同一时间发生,这是不应该是这样的,现在我将它与旧的板我已经观察到在旧板之间有一个延迟了时间,我弄不明白的是为什么开和关的时间是同时发生的，我相信这是我烧mosfet的原因，请先生任何想法为什么会发生
输出应以推拉方式工作，当一个针脚断开时，另一个针脚应接通，反之亦然。如果您发现难以处理，请使用4047 IC。
先生，我已经纠正了这个问题，现在工作很好，非常感谢你的帮助，我真的很饱了，
很高兴你能解决这个问题…继续努力！
您好，Faith，我似乎面临着类似的问题，请您发送您的故障排除图，我将非常感激
你好，先生swagatam，你能把你建议用于信仰的4047的图表发给我吗?我和sg3525面临同样的问题。我想知道的是，在没有任何修改的情况下，4047是否会进入全桥?
Evans, SG3525是一个精密集成电路，永远不会产生错误的输出，除非连接错误，IC本身是错误的。是的，你可以连接4047输出与指定的全桥网络。
斯瓦塔姆先生，如果我用4047振荡器来更新你提供的全桥网络的死区时间，结果会和我用sg3525一样吗?还是应该加/减什么?先生，3v齐纳二极管的方向是怎样的?阳极和阴极连接在哪里?
不需要做任何更改，因为这两个ic的输出以类似的方式工作……
还有，为什么齐纳二极管串联到晶体管的基极或栅极是重要的，为什么在电压速率为3V时要具体说明，先生，我需要更多的说明
感谢你们，愿主上帝继续赐福于你们这善行
正如文章中所解释的，3V齐纳将保持MOSFET关闭，直到真正的触发器3V以上或12V以上出现在MOSFET的栅极。这确保了MOSFET通过两个通道的开关被最小3V值隔离，并且由于较小的杂散泄漏，它们永远不会在一起传导
嗨swagatam请这个电路可以修改通过添加PWM电路或SPWM电路和MOSFET的哪一边是高/低的原因,当修改电路PWM或变频调速电路总是被连接到低端的MOSFET的高边MOSFET谢谢
嗨Emmanuel，是的，它可以用低侧mosfet上的SPWM控制。低侧mosfet的PWM集成仅在全桥拓扑下实现，该拓扑使用4个mosfet，没有中心分接变压器。
嗨，谢谢你的帮助。在此之前，我有成功的cct，但现在有问题。对于一个12伏的逆变器，如果电池电压为12.5伏，变压器会发出噪声，直到电压降至11.0伏左右，噪声就会停止，逆变器工作正常。
先生，我能做些什么补救呢?我已经使用cct两年了，非常成功。
谢谢Charles，您是否使用过任何反馈或其他定制？我建议在基本模式下测试逆变器，看看问题是否仍然存在。
谢谢一百万4你的时间。如果与CentRap变压器一起使用，它很好，HWEVER全桥逆变器更经济。目前正在进行新的设计，我稍后会更新您。谢谢
当然，谢谢你的反馈！
谢谢你，斯瓦塔姆，先生。
欢迎你，曼纽尔
亲爱的Swagatam先生,
疑问消除了，谢谢你的及时回应。匹配晶体管MOSFET 200w逆变器?
曼努埃尔，欢迎你，MOSfeT可以是IRF540
亲爱的Swagatam先生,
在您的逆变电路教程中，我迟到了。我将按照您的指示做一个，先生，一般来说，我们可以使用哪种类型的变压器，我的意思是正常的230V交流120 -12降压变压器，我们可以将Sec. side反转(120 -12)作为输入?我的要求是大约200W。
欢迎拜托，曼努埃尔。是的，这是对的，您可以使用正常的降压变压器作为逆变器变压器，只需将其转向相反的方式。
升压或降压条件取决于哪边用作输入，哪边用作输出
先生，你能不能在arduino上做一个代码，为igbt门驱动电路产生3个正脉冲和3个负脉冲…
嗨，Ahmed，我不擅长Arduino，所以编码可能会很困难，但这可能也可以使用外部图腾柱晶体管实现
嗨Swagatum
你好,罗宾!
希望你一切都好
只是出于兴趣
参考上面的电路，我测试了它在我的示波器一段时间后，发现有一些射通，因为信号的反转，所以我尝试了这两个电路，工作完美。我还建立了一个类似的电路与专用的高低侧驱动器(IR2110)，它仍然优于这些。(试图给你发送一些图片)
我计划尝试第二个电路，在那里你为低侧MOSFET引入了死区时间，并检查结果
以防万一，我仍然可以发送电子邮件到:hitman2008 @ live.in
你好，先生…请告诉我，先生，我没有更多的时间了…请帮我做这个项目…。
你好，Apurva，我刚刚更改了我的网站URL，所以你之前的评论可能会被删除。很抱歉!
你刚才问的问题我都已经回答了。如果你有任何疑问，请告诉我。
我,全桥电路,使用atransformer曾12 v的中小学和220 v的反向igot离开把电压220 v,但当我逆变器输出负载下降到170 v但可能逆变器需要反馈在ic你能帮我,反馈电路sweetable sg 3525 ic电路
如图所示，您可以添加一个反馈到IC的引脚#1
//www.addme-blog.com/wp-content/uploads/2018/10/feedback.png
嗨，可以在100kHz这样的引导电路上工作，我需要它来操作铁氧体核心变压器吗？
是的，可以确定，确保铁氧体Trafo与频率和电压正确匹配
晶体管BC547能在100khz的高频下响应吗?
是的，应该是这样，BC547的额定频率为1MHz
非常感谢您的帮助，最后一个问题，我可以并行连接多少MOSFET？对于BC547能够推动它们？或者你可以为BC547建议我更强大的晶体管，或者我可以使用IGBT
Rohan，MOSFET和IGBT需要最小的电流在其门/基部进行操作，因此不需要特殊的BJT，BC547可以很容易地使用
再次感谢你
欢迎你! !
嗨同上Swagatam。请问，我在哪里连接IC 2535的引脚#10，以防止过载等。
嗨，优素福，你可以连接引脚10与下列运算放大器电路的输出。
//www.addme-blog.com/automatic-output-voltage-regulator/
完全消除晶体管级，并将运算放大器的引脚6直接连接到SG3525的引脚10。
确保串联使用3或4 1N4148二极管，以阻止opamp输出漏偏电压。
对不起，所述布置将防止过电压不过载，控制重载您可能必须交换opamp的输入引脚数，表示引脚＃2和引脚＃3必须交换，推荐的输出二极管反转
你好先生,
S1 S3
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S2 S4
高(S1)侧mosfet和低(S2)侧mosfet之间有死区时间吗?因为有来自1个来源(Pin11 SSG3525)
我认为如果在他们切换时增加一些死区时间会更好，以防止一方没有完全关闭，而另一方处于打开状态。
谢谢。
嗨，鲁迪，是的，死区时间可以通过调整引脚#7的电阻来设置
//www.addme-blog.com/understanding-sg3525-ic-pin-outs/
你好先生,
对不起，先生，我想你误会我了。我知道pin7是在outpin11和outpin14之间调整死时间。但是我的意思是在fet的高和低之间。因为它们是相反的，例如，如果pin11是高的，那么低的一面也会高，但同时高的一面会变低。，如果我们在某些高频率下工作，是否有可能在fet的高频率侧没有完全关闭的情况下，低频率侧变高了?
我想最好在他们之间留出一些时间来保存它。我知道低步法和高步法(在同一侧)不能同时开启，这会使步法爆炸。
谢谢,
嗨rudi，你的意思是在死者期间说，自BC547 BJTS将关闭以来，高侧MOSFET会打开，你想要在死区时间关闭所有MOSFET，对吧？对不起，这种特殊的设计看起来很难。
为了满足这种情况，您可能必须使用P和N通道MOSFET尝试全桥拓扑，如下文所示：
//www.addme-blog.com/arduino-full-bridge-h-bridge-sinewave-inverter-circuit/
你好，先生，
是的，先生。在bc547关闭期间，高边门到gnd被切断，并使其通过帽(自举)打开。我的想法是，在那发生之前，最好让低的一面在短时间内，以保持事情顺利。
我在Internet上阅读了很多例子，有许多方法之一是引入RCD（电阻，帽，二极管）可以实现这一点。但我不知道如何将它实施到你的电路中。
谢谢
嗨,鲁迪,
我已经更新了所需的设计在底部的文章，请检查它，并让我知道，如果你有任何疑问。
好的谢谢先生
你好，先生，
我已经测试了你的电路。当操作员在低频率说50hz时，波形看起来很好，完美的方波。但是如果我以一些千赫的速度运行，比如说33khz，我的波形是非常失真的。它更像香蕉的形状。
你能告诉我是什么原因造成这个问题吗?我如何使它看起来像伟大的50hz?
谢谢
谢谢你，鲁迪，很高兴你能成功测试。
当你使用高频时，感应尖峰开始变得更加活跃，这些尖峰可能开始在连接导线、轨道、焊锡焊剂或任何其他可能不想要的源上产生谐波和失真。
我建议您使用设计良好的PCB，使MOSFET和变压器之间的磁道尽可能短。这里的变压器显然是铁氧体变压器。
还可以在下一篇文章中建议在各个节点上使用抑制电容器
https://www.homemade-circules.com/mosfet-protection-basics-explate-is/
好的，谢谢你的建议。等我有空的时候我会再试一次。
问候,
鲁迪
你好，先生，谢谢你这个很棒的网站。很抱歉这个愚蠢的问题，但是mosfet之间的连接连接到变压器的12V侧以及10uF电容还是他们只是通过它们?
再次感谢! !
迪伦
感谢迪伦，只有电容器的负侧重叠了其他几条线…但它只与各自的mosfet的源相连，没有其他。
除了上面的线条，我看不到其他任何重叠的线条
先生，我可以用9V、11V或15V的变压器给12V的电池充电吗?我问你给12V电池充电的最小电压和最大电压是多少?先生，我希望你现在能理解
请让我明白
谢谢你
梅赫迪，你在重复我已经在....上回答过的问题
先生，我问了充电伏特。12V-95A电池的最小和最大充电电压是多少。
先生，你说充电电流10A，充电时间12小时
但
*电池总安培/充电安培=充电时间*
95/10=9.5小时，对吗？
Mehedi，我在之前的评论中提供了收费细节，你可以参考一下。您的充电周期计算大致正确…
先生，我有一个12V 95安培密封铅酸电池，
现在将是最小和最大伏特和充电电流的？为了更安全的电池持续电池寿命，
Mehedi，它是所有12V电池的标准，14.3V满，11V低。充电电流在10安培左右，持续12小时
爵士谢谢你，我理解了它
IRFZ44N(每个香奈儿只有一个)总共2个。
2个IRFZ44N就能输出400瓦!?我很惊讶，我对MOSFET没有更好的想法，谢谢你先生，我还有一个问题，如果我使用你上面的全桥电路400瓦输出，那么我应该使用哪个MOSFET ?
Mehedi，因为MOSFET被评定为处理那么多的瓦加，所以他们将能够舒服地完成......请注意，这是我的分析。
您也可以使用相同的mosfet逆变器
先生，我还没有一个完美的决定。
这就是我问你的原因
我使用650VA (390W) UPS变压器和100AH电池(12V)
我想要400瓦的输出功率
现在我的问题是:
1.如果我使用上述全桥电路，那么每个香奈儿需要使用多少MOSFET？以及哪个MOSFET？
2.如果我使用中心带变压器，那么每个香奈儿需要使用多少MOSFET ?和MOSFET ?
先生，请让我正确理解这一点
Mehedi，我的意思是说，如果你问关于耗散因素，那么你也应该问关于VDss，和Id因素的mosfet，因为这些是更突出的因素比功率耗散..
无论如何，功率耗散是指在没有散热片的情况下，设备达到其最高核心温度的功率。因此，在94瓦时，设备可能会消散温度，这对设备来说可能是危险的，因此，必须对其施加足够的散热，以确保它能够维持规定的最大水平55 x 49 = 2695瓦
我希望你现在已经理解了......
好…很好点。电荷泵，自举，隔离驱动器和其他手段的高边N沟道mosfet驱动技术。你能谈谈他们吗?我发现许多铁氧体逆变器的H桥几乎不使用tlp250，但几乎所有铁芯变压器H桥都使用。为什么会这样?请解释一下。谢谢
TLP250只是一个增强的光耦合器，用于确保连接的mosfet的安全开关，因为mosfet可以是高度敏感和不可预测的器件，特别是在触发频率高的情况下。
在较低的频率下，漏洞大大减少，因此不需要为它们的切换进行这种特殊安排。
然而，这些不能用于高侧MOSFET，因为需要直接向MOSFET门应用于MOSFET门，因此中间缓冲器不能在此处工作。
好的…我每天都从你的博客中得到更多启发…谢谢。我想实现一个H桥交换，和上面的一样。我只想使用微控制器来产生SPWM。我可以使用哪种驱动电路？主要用于高端MOSFET？我已经成功地从dc-dc转换器生成了高压VDc。我需要更多地了解所涉及的方式。我得到了一堆IR2110，但不幸的是，它们大多是劣质的，而且行为相当不可预测。我需要另一种驾驶模式。谢谢
不幸的是，没有比专业的全桥驱动集成电路更好的驱动替代方案了，因此你必须只使用这些驱动设备来测试和优化你的电路……确保在mosfet的栅极/源极引线上添加1K电阻，以获得更好的稳定性
我已经分开了几个高频逆变器，大多数都没有使用任何特殊的驱动因素，有些人做过。其他用于切换低侧的图腾杆，以及高侧的电荷泵。我没有完全理解电荷泵的完整理由。你的接受是什么？
谢谢
电荷泵用于自动启动，如果没有使用特殊驱动程序IC，则需要读取本文中的regrading引导：
//www.addme-blog.com/sg3525-full-bridge-inverter-circuit/
自举将hi侧mosfet栅极电平通常提高到漏极电平以上12V，以实现最佳传导。
先生，请给我发电子邮件。我有几个问题想问你，我不想在这里问，因为这可能与主题不同。我跟随你们的教程，我真的很受启发。
谢谢
Mho，我希望我们的讨论对这里的所有访问者都是可见的，这样所有人都可以从中受益，因此最好是在这里展示我们的讨论本身，在电子邮件中讨论将保持隐藏和浪费。
我用的是12V 100AH电池
先生，你说每件香奈儿上一件就够了。这意味着我需要使用2个IRF44N。
但我的IRFZ44N(功耗94w)
94 + 94 = 188W
188W开关瓦数将400W × 650VA(390W)变压器????
先生，我不明白这怎么可能?
在你之前的回复中你说:-
赃物说
开关器件的额定功率必须高于变压器的额定功率，如果trafo为500瓦，那么mosfet的额定功率必须至少为600瓦。
在这种情况下，现在变压器是390W，所以开关器件(Mosfet)必须额定在最低490W，
先生，我很困惑!!!!!!!!!
你是对的，但是关于场效应晶体管的漏极/源极额定值，以及场效应晶体管的连续漏极电流额定值分别显示为55V和49安培.....请让我知道你对这件事的看法??
先生，谢谢你宝贵的答复。
先生，我正在设计一个逆变器，有400瓦的全部负荷。
我使用你上面的全桥电路和SG3524集成电路，几乎所有的事情都完成了，我从变压器出来。
但我面临的问题是，我无法选择正确的mosfet为实际400w输出。
所以我需要你的帮助来选择正确的mosfet。
我使用650VA UPS变压器和
100AH电池
现在说说这个逆变器需要什么mosfet ?总共有多少场效应晶体管?
我的地方有可用的mosfet:-
IRF44N
IRF540N
IRF840N
IRF3205
IRF3710
请你帮我使用正确的mosfer，以获得准确的功率
谢谢你先生
Mehedi，假设您的电池电压低于48V，您可以使用第一个IRF44Z，只有一个在每个通道上都足够，附加了足够的散热器
你好，斯瓦格。谢谢你的主意。我用sg3524 ic试过你的电路。
高侧漏极电压为48v，我用tip41c替换了bc547。
我的自举电容是160v 10uF。我的mosfet是irfp260n。
1N4148连接12v电源。当我通电时，电路工作，但高侧fet得到热后几分钟没有负载。我弄错了什么?
我应该更换12V电源38V吗？
你好尼克,上层mosfet可能变热,如果门电压达到高于其额定门值时,你可以试着测量这个值通过保持计探头在10 uf电容器,和瞬间切换触发整个基地的相关TIP141晶体管…阅读不应高于60 v,如果它高于这个值，那么我们可能不得不考虑一个不同的配置，其中漏极电压可以单独施加，12V单独施加，但要确保这两个成为10uF电容的一部分。
你好赃物;谢谢你这么快给我回电话。如果我将1n4148更改为1N4007，并将电阻(比如22k)与引导帽并行连接，会怎么样?你觉得呢?我会试试看，然后让你知道结果。再次感谢
抱歉，尼克，我无法在脑海中模拟配置，因此最好实际检查并了解其行为……祝您一切顺利
上mos的漏极侧电压是多少?(IRF540)
我如何能读漏侧电压的任何mosfet从它的数据表?请说我
在IRF540数据表中，我们知道： -
类型指示符：IRF540
晶体管类型:MOSFET
控制通道类型:N -Channel
最大功耗(Pd): 150w
最大漏源电压| Vds |：100 V
最大门源电压|Vgs|: 20 V
最大门限值电压|Vgs(th)| 4 V
最大漏极电流|Id|: 30a
我的问题是这里漏极侧电压是多少?
这里关于漏极侧电压，我的意思是，你们更喜欢在上部MOSFET的漏极上施加的电压。
好的先生，我得到了它，
我在mosfet的漏极侧使用12V(13.5)V，所以方程是12+20=32v/10uf
或13.5 + 20 = 33.5/10佛罗里达大学
但他们不可用
这就是为什么10uf / 50V，我是先生的？
先生，还有一个问题
在低mosfet栅极，我可以使用100R或33R或10R电阻?请说哪一个是最好的
您是正确的Mehedi，电容电压额定值应理想地是其终端应用的供电水平的两倍，额定值高于这将是，但低于这可能不可取的。
对于较低MOSFET门，您可以使用低于100欧姆的任何值
先生，我可以用10uf/25V的电容吗?50V现在没有。
我可以使用10欧姆或33欧姆的门电阻实例22欧姆吗?
Mehedi，你使用过的排水侧电压是多少？电容器电压额定值必须高于上部MOSFET的漏极侧电压20V
好的先生，我明白，但我有一点误解了 -
在ur大于300+300 (w)驱动瓦数
1.如果我用500w的变压器，那么变压器的输出功率是多少?
2.如果我使用1000w的变压器，那么变压器输出功率是多少?(4*150)
这就是我想知道的事情
先生，请告诉我你的想法。
谢谢你
梅赫迪，mosfet就像开关，你可以比较他们的继电器触点或任何形式的开关我们用于操作电子设备…他们只设计带变压器的电流将从电池…所以mosfet只需要在变压器额定功率水平,这样他们就可以把当前变压器和不安全烧……变压器的输出完全取决于变压器的功率和电池的容量。
1)对于500w的trafo输出将是500w，前提是mosfet额定承载500w，电池也额定提供电流以获得500w，对于1000瓦也将是相同的
谢谢你有价值的答复
我想知道开关功率:这意味着在上面的文章中你使用IRF540(4，每150w)
在这里，我想知道4nos IRF560（每150W）
那么开关功率是多少呢?
1.150 + 150 = 300
2.150 * 4 = 600
先生，请告诉我，在您的上述电路中，切换功率是多少？
正如我已经提到的那样，MOSFET的合并瓦数为其总功率处理能力提供了总功率处理能力......在您的一个通道中，它将300瓦，另一个通道将其300瓦......
输出功率将由变压器决定，而不是由mosfet决定。
先生，我有一些问题
1.如果我使用4 IRFZ44N(每个100w)和一个500w变压器，那么输出功率是多少?
2.这里你描述了带有4个Mosfet的h桥电路，如果我想添加更多的Mosfet来增加瓦数，那么我如何添加更多的Mosfet呢?
3.在上述电路中，您直接从引脚11 n 14驱动下拖mosfet，我可以为每个4 mosfet添加栅极电阻吗？如果可以，那么电阻是多少？
4.另一件事，如果我想要添加Safty二极管（In14007）那么二极管连接将是什么？
先生，请让我明白
谢谢你……
如果TRAFO是500瓦特，则开关装置必须高于变压器额定值，然后MOSFET必须至少为600瓦。
你可以并联更多的场效应晶体管，只要确保在每个场效应晶体管栅极上分别添加一个电阻器。
是的，你可以为低侧mosfet添加一个栅极电阻，也可以在栅极/源端添加1K电阻
对于二极管，阴极将朝向mosfet的漏极……使用1N5408，而不是1N4007
1.先生，如果我使用500w的trafo，那么4个600w mosfet(每个600w)?请说清楚
2.每个mosfet栅极的电阻值是多少?(门阻力)?
3.低侧mosfet的栅极电阻值是多少?
4.U先生说“对于二极管来说，阴极将会朝向mosfet的漏极”，而阳极将会朝向哪里?
先生，请帮帮我
每个通道上的mosfet的总功率可以是600瓦
2)每个mosfet的低栅极电阻可以是22欧姆1/4瓦特，高边mosfet将不需要任何栅极电阻。
4)二极管必须连接在每个mosfet的漏极/源极
谢谢赃物,
还有一件事我想问你，你有没有研究过谐振电源，我想设计一个恒流模式电源，
请建议使用igbt进行设计
问候
Aiqbal
嗨，Aiqbal，我还没有工作与谐振电源设计，无论我张贴的SMPS设计都是从其他网站…
嗨赃物,
我应用了这个电路，它对我的irf3205场效应晶体管工作得很好，我已经将这个电路用于高压电容器充电应用，
我有一个问题:在开始时，fet吸收非常高的涌入电流，这已经破坏了我的fet一些时候，我不想使用限流电阻由于功率损失，请建议任何理想的电路使用sg3525和irf3205的涌入电流限制，
第二个问题是该电路不能使用igbt而不是fet，驱动电路u建议使用ixgx60n120，
你好，Aiqbal，我很高兴它对你有效。
如果你参考以下关于IC的引脚细节的文章
//www.addme-blog.com/understanding-sg3525-ic-pin-outs/
你会发现销# 8决定IC的减缓或经常开始通过生成窄脉宽调制在最初的电源开关,所以可能你可以尝试增加电容器的值连接在这个销为使一些高价值更高层次的软启动,随后减少最初的激增。
或者，您也可以尝试通过增加IC引脚#7处的电阻值来增加IC的死区时间参数
嗨赃物,
我计划用24V VDD做一个类似的项目。你有任何经验/建议如何配置自举帽(双倍的值?)和高侧电阻，以防止栅极过电压?或者你会看到24V VDD的一般问题吗?
谢谢你，并致以最良好的问候。
沃森
嗨,华生,
我不知道它，事实上我自己也在努力理解计算，这就是为什么它是更好的使用专门的IC驱动如下所述:
//www.addme-blog.com/simplest-full-bridge-inverter-circuit/
嗨赃物,
谢谢你！我甚至用IRC2453测试了一个24V项目两次，但有不好的经验(电路在使用一段时间后变得不稳定)。振荡器的频率很难设置在较低的范围内(铁芯变压器~ 100hz)，并且会永久改变。虽然我使用了一个电压调整芯片的全桥IC。可能是一个设计错误，但我现在正在寻找另一个选择，而不是IRC2453。会做进一步的测试，也许会报告我的发现。
此致，
沃森
好的，祝你一切顺利，同时你也可以探索以下概念
//www.addme-blog.com/full-bridge-1-kva-inverter-circuit/
//www.addme-blog.com/h-bridge-inverter-circuit-using-4-n/
我尝试了这个电路，轨电源12vdc和输出是5.6到7vac。然后将轨道电压改为315vdc，根本没有输出。它会有什么问题呢?我打算在有315伏直流电作为母线电压的逆变器上使用这个全桥。
https://photos.app.goo.gl/PmouwUVAFEktOSSK2
对不起，我无法解决它…没有主意。
HIE，我希望你能帮助我在另一个赛道上，但不知道如何在评论上发布图片。请求帮助。
嗨，你可以把它上传到任何免费的图像托管网站，并在这里提供链接……我来看看。
你好先生!
我曾经用bootstrap构造了一个电路，工作得很好，但我真的不知道bootstrap到底是如何工作的。
高侧的N FET在高vgs不燃烧时有多可能？例如，我在漏极上有370VD，VG必须是5V上方的电源电压，这意味着它必须是375V或更高，但FET最大VGS为30V。
你能详细解释一下吗?
谢谢你！
你好,撒切尔夫人,
由于hi侧mosfet处于源极跟随器模式，mosfet不考虑栅极上的高电压，且其被等效漏极高电压抵消，因此仅考虑剩余5V或10V用于触发mosfet，这是由于所有半导体器件的特定特性，在这种情况下，只有当满足设备所需的最小规定正向压降时，才可能实现从一端到另一端的电压传导，否则设备将保持无响应和锁定。
因此，在MOSFET或BJT中，只有当通过可以等于FWD滴电压的值将栅极或基极电压拉到发射极电压之上时，才能发生全导通能够发生完全传导。
在正常配置中漏极电压被忽略，因为源在零电平的地电平，因此只有10V就足够了
场效应管需要满足的公式是栅电压=源电压+ 10V
由于负载与源连接，因此源必须首先到达漏极水平，然后通过负载到地。
因此，源必须首先达到漏极电压水平，例如310V，但这只能发生在栅极电压达到310 + 10 = 320V值时
这就是为什么我们需要在漏极电压水平上额外增加10V来加强栅极
非常感谢你提供的信息，我想我现在知道这个概念了。
我很高兴它有帮助!
长官，我有发现。现在，我想构建一些不同但几乎相似的东西，上次我建立了一个h桥与12伏的电源电压带使用bootstrap帽10uf /50v。这次h桥的电源电压是300伏，我需要把盖子的额定电压改到400伏吗?如果没有，帽如何充电到300伏左右，以满足高侧栅电压要求。在驱动阶段，我可以使用任何规格接近bc547和bc557的晶体管吗?或者我完全需要相同规格的晶体管?
撒切尔，不需要300V额定值，电容器可以是25V额定值，因为电容器将只存储额外的电荷，需要提高到超过漏极水平。在高端的ON时间开关期间，电容内存储的电压将与漏极电平串联在一起，持续几分之一秒，迫使栅极电平由电容充电值提供的因子高于漏极电源电平。
你好先生Swagatam……
您可以使用HCPL 3120光电耦合器设计全桥式逆变器，以驱动MOSFET吗？
谢谢! !
嗨，Ayam，请您说明一下，当mosfet可以直接从相关源驱动时，您为什么希望使用光电?
我想驱动逆变器的调制和频率。PWM源来自Arduino，然后到HCPL 3120，然后用310VDC驱动全桥MOSFET。这就像使用标量方法(V/F方法)来控制负载。谢谢! !
我无法正确理解您试图实施的操作原则。使用V / F控制感应电动机速度非常复杂，因此我必须拳头完全了解您的Arduino如何通过光耦合器调节参数，只有那么我就可以设计它。如果可能，请提供更多详细信息
我完成了双极PWM全桥与V/F控制方法使用MATLAB/Simulink。PWM信号I被部署到硬件(Arduino)。所以我想将PWM信号发送到HCPL3120并驱动MOSFET。我意识到HCPL3120可以减少我的组件，如果我使用IR2110驱动MOSFET。有什么建议吗，斯瓦塔姆先生?
我用MATLAB/Simulink完成了全桥V/F控制方法的双极性PWM。PWM信号（4个PWM信号）被部署到硬件（Arduino）。因此我想将PWM信号发送到HCPL3120并驱动MOSFET。我意识到HCPL3120比我使用IR2110驱动MOSFET可以减少我的组件。
此处模拟的输出PWM为0.02秒(https://i.imgur.com/nq7jjyz.jpg)．
这里的PWM与LC滤波器0.02秒(https://i.imgur.com/yXR77az.jpg)．
这里是输出波形，如果我改变调制和频率(https://i.imgur.com/rmyrazy.jpg.）
有什么建议吗，斯瓦塔姆先生?
你想知道光耦合器如何与全桥网络集成以正确实现全桥操作?对吧?
全桥的规格是什么，它应该使用4n通道mofet吗，因为使用4通道mofet将需要一个特殊的驱动IC。虽然我设计的电路没有使用驱动IC，但我没有实际测试它们。
请澄清以上内容
是的。我想知道如何实现光来控制MOSFET除了使用分立电子元件。我打算使用四个(IXFH22N60P3 -功率MOSFET, N通道，22 A, 600 V, 0.39欧姆，10 V, 5 V)来创建一个完整的桥接网络。
也许你可以帮助我连接和使用其他无源组件来构建这个全桥网络，比如使用HCPL3120驱动MOSFET，选择合适的电容、电阻和二极管的值
我不推荐使用离散组件，因为这不能保证准确的结果，我将尝试用一个标准的全桥IC来设计它。
但是我不能理解为什么你们选择了高电压的光电，任何其他低电压的光电也可以使用，因为我们没有沿着mosfet的总线连接到任何地方，据我所知。
这里的想法是只能以每种可能的方式确保Arduino的完全隔离。
我在这里试过了，你可以检查一下:
//www.addme-blog.com/wp-content/uploads/2017/12/bipolar-pwm.gif
这里VCC1 = 5V
= 12 v电源电压
如果显示一侧，则必须对桥的另一侧重复相同的布局
谢谢你的建议。我会等待，如果你愿意设计全桥IC标准，如你所说。我之所以选择高压光电器件，是因为我参考了另一个网站，该网站指出HCPL3120具有健壮性、不动产和简单性，而不是使用IR2110。如果您有其他与我的项目要求相关的想法，如果您能根据本项目的需要帮助我创建一个工作良好的电路，我将不胜感激。
谢谢! !
好的，我会尽快做的，然后告诉你....
谢谢，先生，非常感谢。对于电阻，我应该使用的额定功率是多少?1/4 W还是更大?
你可以使用1/4瓦特的电阻，因为没有高电流涉及这里。
你好，先生。我能知道你在这个电路中使用的是什么类型的二极管吗?
//www.addme-blog.com/wp-content/uploads/2017/12/bipolar-pwm.gif
D1可以是1N4148。其他的mosfet可以是1n5408。通常这些已经存在于mosfet中…
伟大的工作
你好,
有可能用手机的便携式电池给笔记本电脑充电吗?我尝试使用USB输出(5V/2.1A)作为我的电路的源。然而，由于SG3525需要8V及以上，我正在考虑将这个5V升压到12V。我不需要它提供足够的容量来给笔记本电脑完全充电，但我只需要它工作和能够充电。
到目前为止，我已经使SG3525 DC-DC转换器(推挽)运行在180V。我还没有过多关注逆变器部分，因为我认为最近的笔记本充电器是基于smps的，整流应该是第一阶段，所以直流可能是可能的。我测试了输出与假负载680欧姆在180V和设法得到0.1A，所以我假设DC/DC转换器工作良好。假定笔记本电脑的负载约为70W。问题在于输入端。
问题是我的输入电源不能提供足够的电流。如果我的输入电压是12V，那么负载为70W，我的输入电流将需要至少5.83A，这对我的应用程序来说太大了。我最多只能使用我的端口电池组的USB输出提供2.1A。在源端是否有使用晶体管或其他方法放大电流的方法?我听说过一些方法，可以使平均电流保持恒定，但可以使某些电流脉冲高得多(例如5A)，也可以使某些脉冲低得多，但仍使其平均为源电源电流(例如我的情况为2.1A)。
谢谢
嗨，放大电流会导致电压下降，反之亦然，换句话说，输出功率永远不能超过输入功率。在您的情况下，输入瓦数us 12 x 2=24W，如果将24除以180，则约为0.13安培，如果不降低180V电平，则无法增加该数字。无论是脉冲形式还是连续形式，o/p IxV始终小于i/p VxI。为了获得70瓦的输出，您需要一个高于70瓦的输入
多少瓦，是正弦波吗？
不，这不是正弦波。
做得好，Swagatam，设计很好。保持这样的理想状态。尼日利亚的Aondofa Injoh。
谢谢你Aondofa，我很高兴它对你起作用了!继续干得好!
你好赃物。首先，我的问题很简单。这个h桥电路可以直接驱动一个24v电池系统，其次。变压器能在实用模式下给电池充电吗?第三，为什么mosfet没有像其他电路一样的栅极电阻。谢谢大家。
卡拉斯你好，是的，你可以使用24V进行上述h桥配置。
变压器只能在逆变器模式下使用，除非包含一些特殊的转换电路，否则不能用于为蓄电池充电。
由于BJT的1K本身形成用于MOSFET的栅极电阻，因此上部MOSFET不需要栅极电阻......可以添加一些低值栅极电阻的栅极电阻......尽管它永远不会太重要。
你好swag，这个电路可以用24伏直流电直接驱动吗?第二，同样的变压器可以用来充电电池而不损坏mosfet吗?第三，为什么mosfet没有10欧姆或其他的栅极电阻，谢谢。karlas是我的名字，也是这个博客的粉丝。
嗨Swagatam
谢谢你在纯正的Sinewave逆变器帖子里回到我身边。
我想知道在上面的全桥电路中，我是否有来自高频电源的290v直流电源电压，是否必须将10uf 50v电容器更改为更高的电压，以及是否必须更改irf540以处理更高的电压。我想在50Hz时将此高压直流电源切换为220vac
关于罗宾
Hi robin，就我所知，mosfet的漏极需要连接到290V DC，而二极管阳极单独连接到12V电源…是的，mosfet需要用400V类型的IRF804等来替换…
嗨Swagatum
好的，在第一次尝试时，我烧毁了一个IRF840，所以我只是确保SG2535引脚5和7之间的电阻造成延迟。在每个mosfet的栅极和源之间放置一个1k的电阻是不是一个好主意，以确保当你打开时它不会意外打开，或者它会影响电路的功能
Robin，是的，添加一个轻微的延迟或死区时间将有助于控制mosfet燃烧。
如果mosfet离集成电路或触发源相对较远，你可以在栅极和源之间增加一个电阻。
不，它不会影响上述解释的电路…请注意，BC547发射器只连接到地面，而不是mosfet源
好的，谢谢，我明白了，我会再试一次，让你知道进展如何
罗宾
确定…谢谢! !
嗨Swagatum
我一直在努力与这个h桥电路上面，它工作了，第一次我做它，我放慢了hz，所以我可以看到它振荡，那一刻，我把负载(砰)。
好吧,我现在disected,首先得到了两个高压侧Irf840闪烁,(来源,1 k、领导、地面),销11 IRF的门和销14到另一但只要我开关sg3525领导的同时来之后它正常震荡,会开得这是一个灾难性的结果?。顺便说一下，帽似乎已经通过负载充电，因为我得到了大门18v。
然后我得到低侧IRF的闪烁(+12v,1k,led，引流，源，地)引脚11到1k电阻然后栅极，引脚14相同的其他IRF，但他们不会振荡没有1k到栅极?
哦!我看到你和博主Bob的评论(很有趣)
把罗宾
谢谢你的最新消息，罗宾，
对不起，我无法得到这个:(来源，1K，LED，地面）
LED可以串联机智连接BC547基础，跨越门/低侧MOSFET的源代码，任何其他位置都可以创造出来的功能或误导性指示。
请让我们知道，如果可能通过图像，如果设计为您正确地作为建议的文章…
祝你一切顺利。
你好，先生我很感激你所做的一切愿上帝赐予你力量。先生，我的问题是:我们能不能把每个场效应晶体管并联起来，得到8个而不是4个?另外，是否建议用24v来供应高侧的排水管，而用12v来供应高侧的排水管?这就是说，使用7812ic从24v源得到12v。希望不久能收到你的来信。
谢谢Gody，是的，你可以并联尽可能多的mosfet，只要你想达到所需的瓦数水平。
漏极可以使用任何取决于mosfet VDS额定值的直流电压，但栅极不能超过15 V。所以你的假设是正确的。
先生，请问这个全桥电路是否已经测试过了。100%工作吗? ?
Abduleng，我在网上做了一些深入的研究后提出了这个概念，现在由读者来决定它是否有效
教派在哪里
你可以使用任何标准IC SG3525电路，只需用上面显示的全桥mosfet级替换它的mosfet级…例如，你可以尝试这里显示的电路，并将其输出与上面解释的全桥电路相结合:
https://4.bp.blogspot.com/-5mczdv9jutw/v8gay8cfaki/aaaaaaaaolq/yurggqiad2cj3y78uffobzx358y8gousqclcb/s1600/sg3525.png.
你好先生,
我正在使用igbt进行全桥逆变电路的工作，其中直流电压在输入端不是恒定的，我想知道必须设计的保护电路，以避免任何损坏。
你好，Prathamesh，使用的是哪个电路?它使用基于IRS的全桥驱动程序吗?请提供原理图详情....如果它是一个基于IRS的驱动程序，那么你可以使用它的SD(关闭pinout的保护功能…
//www.addme-blog.com/2013/09/mosfet-protection-basics-explained-is.html
谢谢，先生，这个链接非常有用。也需要一些帮助过电压和过流保护电路。请问在逆变器输出1.4kW，标称输入电压200V，最大输入电压250V的情况下，逆变器在突然波动时，必须使用哪些设备来保护逆变器?
如果你能给我提供任何信息，我将不胜感激。
Prathamesh，由于逆变器正在使用电池运行，因此不能存在任何波动，但过载（过电流）可能会导致问题，您可以使用完整的桥接IC的关闭放大器来保护系统。
先生，我认为你的高侧和低侧门是不正确的位置或连接。我对吗？
不，我已经在上面的评论....中解释了原因
谢谢你，先生。我现在得到了图表中实现的引导的想法。我已经制作了以前的1KW全桥式逆变器及其功能功能。我现在在我家里使用它来推动我的电器。
我将测试这个新的逆变器图，我会让你知道，先生。
非常感谢你，恳请我们作为爱好者乐于助人。
欢迎你，西尔弗曼，祝你一切顺利!
你好先生..好消息！我终于建立了你的设计，它充分工作。MOSFET的输出使用12VDC / 100AH电池为13.5VAC。变压器的输出为240VAC。我的问题是为什么13.5VAC输出，但我的电源是12VDC。？
我用的是IRF3205，我的变压器是220v-12v, 60hz。
那是伟大的Silverman ......我很欣赏它很多。
你到底在哪里找到的13.5伏特?
检查漏/源端mosfet，你会发现它大约是6V，，，，，这是由于12V电源的开/关周期的平均值
谢谢您的回复，先生。我忘了基本的电压检查。我把我的测试探头放在12v变压器绕组的连接器上，我得到了13.5vac的交流读数。
现在部分已经在木箱里完成了。我还做了一个转换电路把它和你的设计结合起来。
我按照说明再次检查了漏极/源极，漏极/源极电压为6.75V。我仔细检查了示意图，方向正确。它的所有组件都焊接在PCB上。
西尔弗曼，请帮助我与你建立的图表，包括你所做的任何更改，以便我可以实现它真的到我的项目，我将真的很感激。
太棒了，谢谢你的分享!
你好，先生，在这篇文章中，ic的脉冲没有配置成对角线形式，就像你的其他全桥配置一样，这是过度的还是这个序列的正确配置?
Hello Ugoeze，它是因为存在BC547晶体管，其反转上部MOSFET的信号，确保在静脉期间唯一的瞬时触发唯一的对角线MOSFET。
你好swagatan，请问ic sg3524可以用于这个设计吗?我在这里找不到sg3525。
谢谢
嗨，路易斯，是的，可以用
请问，先生，我能得到一个更改进的H桥电路吗?带交流输入充电
如果可能的话，会尝试得到......